陶瓷电容器是一种固定电容器与陶瓷材料作为介质。它构成的两个或多个交替的陶瓷层和一金属层作为电极。陶瓷材料的组合物，定义的电气特性，并为此分为两个稳定性类的电容器，该电容器的应用：

    •1级陶瓷电容器具有高稳定性和低损失谐振电路中的应用

    •2类陶瓷电容器用于缓冲的高容积效率，旁路和耦合的应用程序。

陶瓷电容器，特别是多层的版本（MLCC），是最生产和使用的电容器的电子设备产生的数量每年约1000亿件。

下面是最常用的3类陶瓷电容器

第一类电容器，准确，温度补偿电容。它们是最稳定的过电压，温度，和在一定程度上，频率。他们也有最低的损失。另一方面，它们具有的最低的容积效率。一个典型的I类电容器的温度系数为30ppm /°C。这通常是相当与温度成线性。这些也让高Q值的过滤器的典型的I类的电容将具有0.15％的耗散因数。精确度非常高（〜1％）I类电容器（典型的是5％或10％）。指定C0G，NP0最高​​的精度1级电容。

第二类电容器更好的容积效率，但较低的精度和稳定性。一个典型的Ⅱ类电容器可改变电容的15％-55°C至85°C的温度范围内。一个典型的Ⅱ类电容器的损耗因子为2.5％。这将有平均精度较差（从10％下降到+20 / -80％）。

第三类电容器：容积效率高，但精度和稳定性较差。一个典型的第三类电容器将改变电容超过10°C到55°C的温度范围由-22％到+56％这将有一个4％的耗散因数。这将有相当精度差（通常，20％，或80 / -20％）。这些通常是用于去耦或其他电源应用。

在一个点上，IV级电容也可以，超过Ⅲ类较差的电解电容特性，但更重要的容积效率。他们现在是相当罕见的，并认为是过时的，，现代多层陶瓷在一个紧凑的封装可以提供更好的性能。

这大致对应于低K介质K时，高K.注中的类是“更好”比任何其他依赖于应用程序的相对性能。 I类电容器是物理大于III类电容器，用于旁路和其他非过滤的应用程序，在精度，稳定性和损耗因子可能是不重要的，而可能是成本效率和容积效率。因此，I类电容器主要用于过滤的应用，其中主要的竞争是在低频应用中，薄膜电容器和RF应用中更深奥的电容。第III类电容器通常在电源中的应用使用。传统上，他们并没有在这个利基竞争，因为他们被限制在小尺寸。随着陶瓷技术的进步，现在的陶瓷电容器通常可在高达100μF值，他们越来越多地开始竞争，陶瓷提供了更好的电气性能，在价格，而仍远高于电解，电解电容随着技术的进步，越来越合理。、